Samsung je prebacio na 20 nm za NAND Flash čipove

Korejska tvrtka koristi 64-gigabitnu gustoću podataka na svojim novim čipovima, što će se vidjeti i na SSD proizvodima.

Samsung Electronics također je službeno najavio da je započeo proizvodnju NAND Flash čipova takozvanog Toggle DDR2.0 MLC tipa, koji su izrađeni postupkom od 20 nm i imaju gustoću podataka od 64 gigabita (8 GB). Sučelje, nazvano Toggle DDR2.0, omogućuje brzinu od 400 Mbps, što je deseterostruko povećanje u odnosu na SDR (Single Data Rate) NAND Flash memorije, jer ove posljednje mogu imati samo 40 megabita. A sučelje, nazvano Toggle DDR 1.0, može stisnuti 133 megabita podataka u sekundi, pa je verzija 2.0 trostruka brzina. I na kraju, ali ne najmanje važno, proizvođač očekuje poboljšanje u proizvodnji za 50% u odnosu na 32 Gbit verzije.

Samsung namjerava i preporučuje novi razvoj prvenstveno za pametne telefone, tablete i SSD proizvode četvrte generacije koji koriste SATA III sučelje.