DDR3 memorije već su na 30 nm
Samsung također planira daljnje nadogradnje velikog obima do kraja godine.
Samsung je započeo masovnu proizvodnju 2 Gbit memorijskih čipova na 30 nm. Kao rezultat toga, potrošnja i radni napon su značajno smanjeni. To znači da je takt do 1,35 MHz dostupan na 1.866 volta i 1,5 MHz na 2.133 volta.U usporedbi s prethodnim čipovima proizvedenim na 50 nm, na prednjoj strani poslužitelja može se postići ušteda energije do 20%. Međutim, proizvođač se tu ne zaustavlja i do kraja ove godine žele predstaviti 4Gbit čipove koji sada mogu proizvoditi 8 GB modula na linijama stolnih i prijenosnih računala, dok za poslužitelje kapacitet modula može doseći 32 GB.
Moduli s trenutnim čipovima od 2 Gbit bit će dostupni u kapacitetima od 2, 4 i 8 GB, ali još nisu dostupne informacije o očekivanim cijenama.
